特許
J-GLOBAL ID：200903060633181967
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043512
公開番号（公開出願番号）：特開2007-264609
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】積層体に損傷を与えず、歩留まり高い半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。【解決手段】透光性を有する基板上に、光触媒層及び光触媒層に接する有機化合物層を形成し、光触媒層及び光触媒層に接する有機化合物層を介して透光性を有する基板上に素子形成層を形成し、透光性を有する基板を介して光触媒層に光を照射した後、透光性を有する基板から素子形成層を分離する半導体装置の作製方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性を有する基板上に、光触媒層及び前記光触媒層に接する有機化合物層を形成し、
光触媒層及び前記光触媒層に接する有機化合物層を介して前記透光性を有する基板上に素子形成層を形成し、
前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射した後、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
G09F 9/30
, H01L 21/02
, H01L 27/12
, G09F 9/00
G09F9/30 338
, H01L27/12 B
, G09F9/00 338
5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094DA13
, 5C094FB02
, 5C094FB20
, 5C094GB10
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435BB12
, 5G435HH20
, 5G435KK05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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