半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357491
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197673
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】積層体に損傷を与えず、歩留まりの高い剥離方法を提供することを課題とする。また、全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、第1の基板上に、金属層、酸化物層、水素元素を有さない原料で形成される層、積層体を積層する第1の工程と、透光性を有する基板の表面に光触媒層を形成する第2の工程と、前記第1の工程と第2の工程の後、積層体の表面と光触媒層とを第1の接着剤を用いて貼り合わせ、前記金属層と酸化物層の間を剥離した後、透光性を有する基板から光を照射して前記光触媒層と前記第1の接着剤との界面を分離し、前記第1の接着材を除去する第3の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の基板上に、金属膜、酸化物膜、水素元素を有しない原料で形成された膜、及び積層体を積層する第1の工程と、透光性を有する基板の表面に光触媒膜を形成する第2の工程と、前記第1の工程と第2の工程の後、積層体の表面と光触媒膜とを第1の接着剤を用いて貼り合わせ、前記金属膜と前記酸化物膜の間を剥離した後、透光性を有する基板から光を照射して前記光触媒膜と前記第1の接着剤との界面を分離する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L29/78 627D

Fターム (64件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052EA13 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F052JA02 , 5F052JA03 , 5F052JA04 , 5F052JA06 , 5F052JA07 , 5F052KB05 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110NN03 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ09 , 5F110QQ21 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

剥離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300371 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-315590 出願人：セイコーエプソン株式会社

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