特許
J-GLOBAL ID：200903060705530503

半導体装置の製造方法

発明者：
渡辺 啓仁

渡辺 啓仁 について

, 
本間 一郎

本間 一郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284485
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306646
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【課題】 DRAMやTFTの容量電極に用いるのに好適なシリコン膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シランガスをPドープあるいは不純物を添加していない非晶質シリコン上に1×10-3[Torr]以下で照射し、非晶質シリコンを選択的に成長し、連続してアニール処理することで、非晶質シリコン上に微結晶を形成し、電極表面に凹凸を形成する。また、非晶質シリコンの選択成長を行うことで、電極表面の微結晶に供給するシリコン原子を増やす。これにより、球状又は半球状のグレインが安定して形成できるため、DRAMの容量電極に用いることが可能となる。一方、水素や酸素雰囲気中でアニール処理することで、グレインの成長を起こさずに滑らかな表面を有するシリコン膜が形成でき、TFTの容量電極に用いる。
請求項（抜粋）：
表面の自然酸化膜が除去された非晶質シリコン層を有する基板を真空中又は不活性ガス中において加熱処理する第1のステップと、このステップ後にシランガスに前記基板をさらす第2のステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6件)：
H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)

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