特許
J-GLOBAL ID：200903060722786287
集積回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335456
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 広いプロセス自由度を持ち、大量生産プロセスに容易に適合可能な二重ダマスカスプロセスによる集積回路の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチ・ストップ層54を2レベル連結構造の第1レベルに形成される連結部のパターンに対応する開口部72を形成するためにパターン化した後、この上に金属間誘電体層58を設け、次にフォトレジスト・マスク62をこの上に設け、マスク62の開口部64、66は連結構造の第2レベルに設けられる配線パターンに対応し誘電体層58を部分的に露出させる。誘電体層58はエッチングされこれが進行して層間誘電体層52のストップ層54の開口部72で露出している部分に開口部68が生じる。即ち単一のエッチング工程で第2レベルの配線と第1レベルの連結部の両方のための開口部が画定される。次に金属が構造上に形成され余分の金属が除去されて2レベル連結構造が画定される。
請求項（抜粋）：
第1レベルの導体構造と第2レベルの導体構造とを有する集積回路を製造する集積回路の製造方法において、1つ以上の集積回路装置を包含する基板を設けるステップと、上記基板上に層間誘電体層を設けるステップと、上記層間誘電体層上にエッチ・ストップ層を設けるステップと、上記エッチ・ストップ層をパターン化して、第1レベルの導体構造が形成されるべき位置に対応する開口部をパターン化されたエッチ・ストップ層に画定するステップと、このパターン化されたエッチ・ストップ層上に金属間誘電体層を設けるステップと、第2レベルの導体構造が形成されるべき位置に対応する開口部を有する第2レベルのマスクを上記金属間誘電体層上に形成するステップと、上記第2レベルのマスクの開口部を通してエッチングを行って上記金属間誘電体層に第2レベルの導体開口部を形成するとともに、上記パターン化されたエッチ・ストップ層の開口部を通してエッチングを行って上記層間誘電体層に第1レベルの導体開口部を形成するステップと、上記第2レベル導体開口部及び第1レベル導体開口部の中に金属を設けるステップと、を備えたことを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/28 L
, H01L 21/88 K
