レーザシステム及び超短パルスのパルスレーザからなるバーストを用いたメモリリンクの加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-551650
公開番号（公開出願番号）：特表2003-519933
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2003年06月24日
要約：

【要約】【解決手段】超短パルスのレーザパルスからなるバーストを用いることによって、導電性リンク(22)を非熱的に切断する。これによって、より大きな加工窓を形成でき、望ましくないHAZ効果を除去することができ、切断されたリンクの品質を向上させることができる。バーストの時間間隔は、好ましくは10-500ナノ秒に設定する。バーストを構成する各レーザパルスのパルス幅は一般に25ピコ秒以下に設定し、好ましくは10ピコ秒以下、特に好ましくは10ピコ秒から100フェムト秒以下に設定する。前記バーストは従来のレーザ位置決めシステム(62)によっては単一のパルスとして取り扱われ、レーザシステム(60)から各リンク(22)に対してバーストを照射している間にレーザ位置決めシステム(62)を連続して駆動させておくことにより、高速リンク除去を可能にする。汎用の波長領域又は調波領域にあるレーザパルスが使用される。

請求項（抜粋）：

所定の基板上に形成された回路中において、互いに対をなす電気的導電性の接点間に位置する電気的導電性を有する余剰メモリリンクを切断する方法であって、ビーム位置決め装置に対して、前記回路中の電気的導電性を有する余剰メモリリンクの位置を表すビーム位置決めデータを提供する工程と、レーザ装置から、レーザパルス幅が10ピコ秒以下であり、バーストの時間間隔が500ナノ秒以下である、少なくとも2つのレーザパルス出力からなる第1のバーストを第1の時間間隔中において生成する工程と、前記位置決めデータに応じて前記第1のバーストを方向づけ、第1の接点間の第1の位置に存在する、第1の電気的導電性を有する余剰メモリリンクに衝突させ、前記第1のバーストの少なくとも2つのレーザパルスによって、前記第1の導電性メモリリンクの異なる部分を除去し、前記第1のバーストによって前記第1の接点間に存在する前記第1の導電性リンクを切断する工程と、レーザ装置から、レーザパルス幅が10ピコ秒以下であり、バーストの時間間隔が500ナノ秒以下である、少なくとも2つのレーザパルス出力からなる第2のバーストを、前記第1の時間間隔と時系列的に異なる第2の時間間隔中において生成する工程と、前記位置決めデータに応じて前記第2のバーストを方向づけ、第2の接点間の第2の位置に存在する、第2の電気的導電性を有する余剰メモリリンクに衝突させ、前記第2のバーストの少なくとも2つのレーザパルスによって、前記第2の導電性メモリリンクの異なる部分を除去し、前記第2のバーストによって前記第2の接点間に存在する前記第2の導電性リンクを切断する工程と、を含むことを特徴とする、余剰メモリリンクの切断方法。

IPC (6件)：

H01L 21/82 , B23K 26/00 320 , H01L 27/10 491 , H05K 3/00 , H05K 3/22 , B23K101:42

FI (6件)：

B23K 26/00 320 E , H01L 27/10 491 , H05K 3/00 N , H05K 3/22 E , B23K101:42 , H01L 21/82 F

Fターム (23件)：

4E068AE00 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068DA11 , 4E068DB14 , 5E343AA11 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB35 , 5E343BB40 , 5E343BB44 , 5E343BB49 , 5E343ER45 , 5E343GG08 , 5E343GG20 , 5F064FF02 , 5F064FF04 , 5F064FF27 , 5F064FF30 , 5F064FF33 , 5F064FF43 , 5F083ZA10

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭62-067834
レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015066 出願人：株式会社ニコン
特開昭61-290719

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