特許

J-GLOBAL ID：200903060761120580

シリコンゲルマニウムエッチング停止層システム

発明者： ウー ケネス シー ,  フィッツジェラルド ウージーン エー ,  ボレンスタイン ジェフリー ティー
出願人/特許権者： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-544004
公開番号（公開出願番号）：特表2002-511652
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】単結晶シリコン基板上のSiGe単結晶エッチング停止物質システム。エッチング停止物質システムは厳密な組成に変化があるが、不純物添加または未添加のSi1-xGex(xは通常0.2〜0.5)合金である。本発明のエッチング停止は、シリコン基板と均一なSiGeエッチング停止物質との間に、段階を設けたバッファを使用する。通常、このバッファは、基板/バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ/エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。この化学的不純物質を更に相当の速度でエッチングできる。ここで、界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。このエッチング停止を用いて、シリコンの異方性エッチング剤(水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、エチレンジアミン/ピロカテコール/ピラジン(EDP)、THAM、ヒドラジン)による微細加工を行う。

請求項（抜粋）：

Si1-xGexの段階層と、Si1-yGeyの均質なエッチング停止層とを有することを特徴とする、単結晶シリコン基板上に使用する単結晶エッチング停止層システム。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/306 B

Fターム (3件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-122818   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体基体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-357744   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平2-098158
  
• 特開平2-098158