特許
J-GLOBAL ID：200903060762342349
半導体ウェーハのケミカルラップ装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337075
公開番号（公開出願番号）：特開平9-174418
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの取り代が小さくて済み、さらには、うねり成分やそりが軽減する、半導体ウェーハのケミカルラップ装置を提供する。【解決手段】 この装置は、ケーシング1と、互いに平行状態でケーシング1内に設けられ、かつ少なくとも相対向する表面が耐熱性樹脂で形成された研削面になっている上定盤2および下定盤3とを備えている。ケーシング1内には、半導体ウェーハを浸漬する量以上のアルカリ性溶液が収容されている。半導体ウェーハを保持するキャリアー4a,4bを水平面内で上定盤2および下定盤3に対して相対運動させ、半導体ウェーハの上下面を上定盤2および下定盤3に小さな圧力で接触させ同時研磨する。アルカリ性溶液とウェーハ表面とが反応し、ケミカル研磨が行われ、また、半導体ウェーハの弾性変形は小さいので、半導体ウェーハのうねり成分やそりは軽減し、上下面は定盤面と同等の平坦度に仕上がる。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶棒をスライスして得られた半導体ウェーハの両ウェーハ面を同時にケミカル研磨するための、半導体ウェーハのケミカルラップ装置であって、ケーシングと、互いに平行状態で前記ケーシング内に設けられて、少なくとも相対向する表面が耐熱性樹脂でそれぞれ形成された定盤面になっており、かつ前記定盤面において前記半導体ウェーハの両ウェーハ面にそれぞれ接触する上定盤および下定盤と、前記上定盤および前記半導体ウェーハを前記ウェーハ面に沿う方向に互いに相対運動させるとともに、前記下定盤および前記半導体ウェーハを前記ウェーハに沿う方向に互いに相対運動させるための相対運動手段とを備え、前記ケーシング内に、少なくとも前記半導体ウェーハおよび各定盤面を浸漬するようにして、温度制御したアルカリ性溶液を供給することを特徴とする半導体ウェーハのケミカルラップ装置。
引用特許：
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