特許
J-GLOBAL ID:200903060770915307
反射体およびこれを用いた光半導体装置並びにそれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-268593
公開番号(公開出願番号):特開平11-112014
出願日: 1997年10月01日
公開日(公表日): 1999年04月23日
要約:
【要約】【課題】 反射体を用いた光ディスクへの書き込み、読み取り等の光情報処理に用いる光半導体装置に関し、Si単結晶をエッチングして形成した反射体を用いた量産性に優れた光半導体装置を提供する。【解決手段】 受光素子を形成したSi基板上に、発光素子と、該発光素子からの照射光をSi基板に垂直な方向に反射する反射体を夫々載置することにより光半導体装置を形成する。
請求項(抜粋):
底面と、該底面に対して45°の角度を有してエッチング形成された{111}面の反射面とを備えたSi単結晶からなる反射体。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-133213
出願人:松下電子工業株式会社
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光半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-276851
出願人:日本電気株式会社
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特開昭64-027289
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