特許
J-GLOBAL ID：200903060781138345
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217100
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059086
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：
【要約】【課題】 配向性が優れている薄膜を基板上に形成する。【解決手段】 レーザアブレーション法を利用してガラス基板16上に薄膜を形成する。すなわち、レーザ光Lを窓部11から成膜室10へ導入し、ターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料(中性原子、分子、イオン)を放出し、これらの成膜材料は基板16上に堆積/結晶化して薄膜を形成する。このとき、成膜中において、基板16の温度を変更したり、あるいは成膜速度を変更して成膜条件を異ならせる。
請求項（抜粋）：
レーザアブレーション法によって、ターゲットから放出された成膜材料を基板上に堆積/結晶化して第1の薄膜を形成する第1工程と、前記第1の薄膜上に前記第1工程と異なる条件で第2の薄膜を形成する第2工程と、を備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C30B 23/00
, B01J 19/12
, H01L 21/203
, H01L 21/31
C30B 23/00
, B01J 19/12 G
, H01L 21/203 S
, H01L 21/31 D
