特許

J-GLOBAL ID：200903060793077996

厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石

発明者： スカースブルック、ジェフリー、アラン ,  マルティノー、フィリップ、モーリス ,  ドルン、ボルベル、シュザンヌ、シャルロッテ ,  クーパー、アンドリュー、マイケル ,  コリンズ、ジョン、ロイド ,  ホワイトヘッド、アンドリュー、ジョン ,  トウィッチェン、ダニエル、ジェイムズ ,  サスマン、リカルド、サイモン
出願人/特許権者： エレメント シックス (プロプライエタリイ)リミテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  池田 幸弘 ,  長沼 暉夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-510742
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503461
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

2mmより大きな厚さを有する高い品質の単結晶CVDダイヤモンドの層。そのようなCVDダイヤモンド層を製造する方法がまた提供される。その方法は、300ppb未満の窒素を含有する雰囲気における低い欠陥密度基体上のダイヤモンド層のホモエピタキシャル成長を包含する。宝石の原石をその層から造ることができる。

請求項（抜粋）：

2mmより大きな厚さを有する高い品質の単結晶CVDダイヤモンドの層。

IPC (5件)：

C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

FI (6件)：

C30B29/04 W ,  C30B29/04 A ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 102

Fターム (32件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077TB07 ,  4G077TC17 ,  4G077TK10 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA14 ,  4K030LA01 ,  5F004AA08 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD12 ,  5F045AE19 ,  5F045AF01 ,  5F045BB16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 大サイズ単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156171   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-145038   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• CVDダイヤモンド層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206397   出願人：デビアスインダストリアルダイアモンドデイビジヨン(プロプライエタリイ)リミテツド