特許
J-GLOBAL ID：200903060793953435
マスクパターンの補正方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185856
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013668
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 マスクパターンに対する近接効果補正処理の負荷を大幅に増大させることなく、露光マージンを考慮して高精度の補正を行う。【解決手段】 パターン露光に供される露光用マスクに形成されたマスクパターンに対し、露光装置を介して被露光基板にパターンを転写する際の光近接効果の影響を抑制するためにパターン形状に補正を加えるマスクパターンの補正方法において、光近接効果の及ぶ範囲内でパターンを抽出するステップS2と、抽出されたパターンに対し、実際にパターンエッジを移動させる補正対象パターンと補正計算の際にエッジ移動を行わない参照対象パターンとに分類するステップS3と、設定露光条件にて一括補正するステップS4と、露光量裕度を与える位置でのし上がる露光量を計算するステップS5と、パターンエッジ毎に露光量に応じて移動させるステップS6とを含む。
請求項（抜粋）：
パターン露光に供される露光用マスクに形成されたマスクパターンに対し、露光装置を介して被露光基板にパターンを転写する際の光近接効果の影響を予め考慮してパターン形状に補正を加えるマスクパターンの補正方法において、予め与えられた露光量における所定のフォーカス位置での転写パターンエッジ位置を、予め設定された許容エッジ位置ずれ量ΔPosに対し、それより小さな位置ずれ量ΔPos1 により決定される所望パターンエッジ位置からのずれ量以内に形成されるように補正し、その後で露光量裕度を考慮するために、それぞれの露光量裕度境界位置にて所望の焦点深度を得るようにマスクパターンに追加補正を加えることを特徴とするマスクパターンの補正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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