特許
J-GLOBAL ID：200903019417075710

マスクパターンの補正方法および補正装置

発明者：
津高 圭祐

津高 圭祐 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-053053
公開番号（公開出願番号）：特開平8-248614
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 設計パターンに近い実際のレジストパターンが得られるように、自動的にマスクパターンを補正することが可能なマスクパターンの補正方法と、その補正方法を実施するための補正装置とを提供すること。【構成】 所望の設計パターン32のパターン外周に沿って、複数の評価点30を配置する評価点配置工程と、評価点30が付された設計パターン32のフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションするシミュレーション工程と、シミュレーションされた転写イメージ34と、前記設計パターン32との差を、各評価点30毎に比較する比較工程と、各評価点30毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、設計パターン32を変形する変形工程とを有する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクのマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、変形させるマスクパターンの補正方法において、前記所望の設計パターンのパターン外周に沿って、複数の評価点を配置する評価点配置工程と、評価点が付された設計パターンのフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションするシミュレーション工程と、シミュレーションされた転写イメージと、前記設計パターンとの差を、前記各評価点毎に比較する比較工程と、前記各評価点毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、前記設計パターンを変形する変形工程とを有するマスクパターンの補正方法。
IPC (3件)：
G03F 1/00 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 1/00 Y ,  G03F 1/00 P ,  G03F 1/16 G ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 V
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開平1-107530
  • 露光方法及び露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-285043   出願人：ソニー株式会社
  • フォトマスクの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286265   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (3件)

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