特許

J-GLOBAL ID：200903060818665944

エピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子

発明者： 野口 裕司 ,  柳原 将貴
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-268305
公開番号（公開出願番号）：特開2009-096655
出願日： 2007年10月15日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】エピタキシャル成長基板の反りやクラックの発生を抑制し、且つ製造リードタイムを短縮させることができるエピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板10を用意する工程と、支持基板10上に第1の窒化物系化合物半導体からなる複数のバッファ層成長核20をドット状に配置する工程と、ガリウムを流し込み、支持基板10のバッファ層成長核20が配置されていない支持基板10の上面に穴12を形成する工程と、バッファ層成長核20と同じ構成元素を含む第1の層22aで穴12の上を覆う工程と、第1の層22aの上に第1の窒化物系化合物半導体と格子定数の異なる第2の窒化物系化合物半導体からなる第2の層22bを形成する工程とを含むエピタキシャル成長基板の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板を用意する工程と、 前記支持基板上に第1の窒化物系化合物半導体からなる複数のバッファ層成長核をドット状に配置する工程と、 ガリウムを流し込み、前記支持基板の前記バッファ層成長核が配置されていない前記支持基板の上面に穴を形成する工程と、 前記バッファ層成長核と同じ構成元素を含む第1の層で前記穴の上を覆う工程と、 前記第1の層の上に第1の窒化物系化合物半導体と格子定数の異なる第2の窒化物系化合物半導体からなる第2の層を形成する工程 とを含むことを特徴とするエピタキシャル成長基板の製造方法。

IPC (8件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H

Fターム (57件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045DA53 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-304570   出願人：松下電器産業株式会社
• エピタキシャルウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-376483   出願人：三星コーニング株式会社

審査官引用 (2件)

• 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-301158   出願人：日本電気株式会社
• 炭化ケイ素と窒化ガリウムとの間の緩衝構造体及びそれを利用した半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-516809   出願人：クリーリサーチインコーポレテイッド