特許

J-GLOBAL ID：200903040120749649

結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法

発明者： 砂川 晴夫 ,  松本 良成 ,  碓井 彰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301158
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122693
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】工程の煩雑化を招くことなく、異種材料基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の結晶欠陥を大幅に低減すること。【解決手段】(0001)面サファイア(Al2O3)基板11上に、GaN膜12を形成した後、ウエットエッチングによりGaN膜12を島状に残す。この島状のGaN膜12は上部が単結晶層により構成されている。この島状のGaN膜12が残存した状態で、エピタキシャル成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないGaN膜15を得る。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル結晶層を成長させるための下地として用いられる結晶成長用下地基板であって、前記エピタキシャル結晶層と異なる結晶系の下地基板と、前記下地基板上に離間して形成された複数の島状結晶とを有し、前記島状結晶は、前記エピタキシャル結晶層と同じ結晶系の単結晶層を含んでなることを特徴とする結晶成長用下地基板。

IPC (4件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 B

Fターム (30件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE02 ,  4G077TK04 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD01 ,  5F043DD07 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045BB01 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-197598   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物化合物半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240343   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-322132   出願人：豊田合成株式会社
• 化合物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094812   出願人：住友金属工業株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-218122   出願人：日亜化学工業株式会社