強誘電体素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-126958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321640
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】高感度かつ低コストの強誘電体素子を提供する。【構成】ステンレス金属基板101表面に(100)面に結晶が優先配向したNaCl型結晶構造からなるMgO薄膜102が配置され、MgO薄膜102表面にPt薄膜からなる下部電極103が配置され、下部電極103の特定部分がPb0.9La0.1Ti0.975O3からなる強誘電体膜104で覆われ、強誘電体膜104の表面にはNi-Cr薄膜からなる上部電極108が配置される。エッチングホール105がMgO薄膜102,下部電極103,強誘電体膜104,及び上部電極108を貫通して基板101表面に達するよう形成され、基板101の上層部にエッチングホール105を通して基板101の一部部がエッチング除去されることにより形成された空隙層110が設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上にその第1の領域に第1の電極層が接合し、その第2の領域に第2の電極層が接合した強誘電体膜が設けられてなる強誘電体素子において、前記基板表面に金属酸化物層が形成され、当該金属酸化物層表面の所定領域に前記強誘電体膜が島状のパターンとして形成されており、前記基板の上層部の前記島状パターンの直下に位置する領域に前記島状パターンよりも若干大きい面積の空隙層が形成されていることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (16件)：

H01L 41/09 , C04B 35/46 , C04B 35/49 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , C23F 1/00 , C23F 4/00 , G01J 1/02 , G01L 1/16 , H01L 21/3065 , H01L 29/84 , H01L 37/02 , H01L 41/08 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , H01L 41/24

FI (16件)：

H01L 41/08 C , C23C 16/40 , C23C 16/50 , C23F 1/00 A , C23F 4/00 C , G01J 1/02 Y , G01L 1/16 , H01L 29/84 A , H01L 37/02 , C04B 35/46 H , C04B 35/49 Z , H01L 21/302 J , H01L 41/08 Z , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 Z , H01L 41/22 A

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭62-030695
強誘電体薄膜の製造方法及びそれを有する強誘電体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-007526 出願人：シャープ株式会社
特開平4-368186

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