特許
J-GLOBAL ID:200903060855034229
ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-157883
公開番号(公開出願番号):特開2007-277088
出願日: 2007年06月14日
公開日(公表日): 2007年10月25日
要約:
【課題】活性化水素によるエッチング作用に対する耐性が低い非ダイヤモンド炭素材料を基材とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材を提供する。【解決手段】ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材は、非ダイヤモンド炭素からなる基材1と、この基材上に形成され結晶子の平均直径が10nm以下である微結晶ダイヤモンド膜2からなる中間層と、この中間層上に形成され結晶子の平均直径が20nm以上であるダイヤモンド膜3と、を有する。基材1はアモルファス炭素又はグラファイトからなるか、又は熱間静水圧加圧処理された炭素材料からなることが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
非ダイヤモンド炭素からなる基材と、この基材上に形成され結晶子の平均直径が10nm以下である微結晶ダイヤモンドからなる中間層と、この中間層上に形成され結晶子の平均直径が20nm以上であるダイヤモンド膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材。
IPC (6件):
C30B 29/04
, C23C 16/27
, C01B 31/02
, C01B 31/04
, C01B 31/06
, C04B 35/52
FI (6件):
C30B29/04 X
, C23C16/27
, C01B31/02 101A
, C01B31/04 101A
, C01B31/06 A
, C04B35/52 G
Fターム (48件):
4G077AA03
, 4G077AB09
, 4G077BA03
, 4G077DB07
, 4G077DB19
, 4G077EA02
, 4G077EB01
, 4G077EF03
, 4G077TA04
, 4G077TB07
, 4G077TK01
, 4G132AA02
, 4G132AA10
, 4G132BA04
, 4G132BA07
, 4G132BA13
, 4G132BA18
, 4G132CA02
, 4G132CA06
, 4G132CA17
, 4G132GA44
, 4G132GA53
, 4G132GA58
, 4G146AA01
, 4G146AA02
, 4G146AA04
, 4G146AA19
, 4G146AB05
, 4G146AB07
, 4G146AC14A
, 4G146AC14B
, 4G146AD02
, 4G146AD06
, 4G146AD23
, 4G146AD26
, 4G146AD28
, 4G146AD29
, 4G146CB03
, 4G146CB11
, 4G146CB16
, 4G146CB23
, 4G146CB32
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030FA01
, 4K030HA01
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (2件)
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プラズマエッチング用電極板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-220712
出願人:イビデン株式会社
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特開昭63-307196
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