特許
J-GLOBAL ID：200903060862657983
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-378648
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214234
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】適正な素子抵抗、高MR変化率を維持しながら、低い層間結合磁界および高いブレイクダウン電圧を有し、将来の高磁気記録密度に対応可能な高感度な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界によって自由に変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられ、第1の非金属中間層/金属中間層/第2の非金属中間層の積層構造を有する非磁性中間層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面にほぼ垂直方向に通電するように配置され、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極膜とを具備する磁気抵抗効果素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界によって自由に変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられ、第1の非金属中間層/金属中間層/第2の非金属中間層の積層構造を有する非磁性中間層とを含む磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面にほぼ垂直方向に通電するように配置され、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極膜と
を具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01L43/10
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049DB12
