特許
J-GLOBAL ID：200903060862850724
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-179412
公開番号（公開出願番号）：特開2006-347852
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の4H-炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。【解決手段】 SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、 a)前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させた後に、この種結晶基板を前記融液表面から離して単結晶の成長を中断させる工程、及び b)再び前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させる工程からなるサイクルを少なくとも1回以上行うことを含み、前記種結晶が6H-炭化珪素単結晶又は15R-炭化珪素単結晶であり、得られる単結晶が4H-炭化珪素単結晶であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、下記工程a)及びb)
a)前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させた後に、この種結晶基板を前記融液表面から離して単結晶の成長を中断させる工程、及び
b)再び前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させる工程
からなるサイクルを少なくとも1回以上行うことを含み、前記種結晶が6H-炭化珪素単結晶又は15R-炭化珪素単結晶であり、得られる単結晶が4H-炭化珪素単結晶であることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077EA01
, 4G077MB06
