特許
J-GLOBAL ID：200903060895868068

薄膜光電変換モジュールの製造方法

発明者：
目黒 智巳

目黒 智巳 について

, 
中島 昭彦

中島 昭彦 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 福原 淑弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-057057
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261309
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】中間反射層を有するハイブリッド型構造を採用し且つ高い出力特性を容易に実現し得る薄膜光電変換モジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の方法は、透明基板上に互いに直列接続された複数のハイブリッド型薄膜光電変換セルを形成する薄膜光電変換モジュール1の製造方法であり、透明基板2上に透明前面電極層3と非晶質光電変換層を備えた薄膜光電変換ユニット4aと中間反射層5とを順次成膜する工程と、薄膜光電変換ユニット4a及び中間反射層5を分割する分離溝24を形成する工程と、中間反射層5側の面をエッチングすることにより分離溝24の側壁に付着した導電性微粒子を溶解除去するのとともに中間反射層5の表面を凹凸加工して表面テクスチャ構造を形成する工程と、そのエッチング後に中間反射層5上に結晶質光電変換層を備えた薄膜光電変換ユニット4b及び金属裏面電極層6を順次成膜する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
透明基板の一方の主面上に、透明前面電極層、非晶質光電変換層を備えた第1の薄膜光電変換ユニット、導電性を有するのとともに光透過性及び光反射性の双方を有する中間反射層、結晶質光電変換層を備えた第2の薄膜光電変換ユニット、及び金属裏面電極層を順次積層してなる積層構造を有し、前記積層構造は互いに直列接続された複数のハイブリッド型薄膜光電変換セルを構成する薄膜光電変換モジュールの製造方法であって、前記透明基板の一方の主面上に、前記透明前面電極層、前記第1の薄膜光電変換ユニット、及び前記中間反射層を順次成膜する工程と、前記第1の薄膜光電変換ユニット及び前記中間反射層を分割する分離溝を形成する工程と、前記中間反射層側の面をエッチングすることにより、前記分離溝の形成に伴って生じ且つ前記分離溝の側壁に付着した導電性微粒子を溶解除去するのとともに前記中間反射層の表面を凹凸加工して表面テクスチャ構造を形成する工程と、前記エッチング後に、前記中間反射層上に前記第2の薄膜光電変換ユニット及び前記金属裏面電極層を順次成膜する工程とを含むことを特徴とする薄膜光電変換モジュールの製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 W
Fターム (22件)：
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5F051JA04 ,  5F051JA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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