特許

J-GLOBAL ID：200903060896165710

結晶質半導体膜およびその製造方法

発明者： 水木 敏雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074787
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251007
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】 〈100〉方位の結晶粒を優先的に成長させた結晶質半導体膜を製造する。【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に対してレーザビーム100を第1方向に相対的に走査することにより、〈100〉方位の結晶粒を含む結晶質領域を備えた半導体膜を得る第1結晶化工程と、第1結晶化工程の後、結晶質領域に対して連続発振レーザビーム200を第1方向とは異なる第2方向に相対的に走査することにより、〈100〉方位の結晶粒を優先的に成長させる第2結晶化工程とを包含する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜を用意する工程と、 前記非晶質半導体膜の少なくとも一部に対してレーザビームを第1方向に相対的に走査することにより、〈100〉方位の結晶粒を含む結晶質領域を備えた半導体膜を得る第1結晶化工程と、 前記第1結晶化工程の後、前記結晶質領域に対して連続発振レーザビームを前記第1方向とは異なる第2方向に相対的に走査することにより、〈100〉方位の結晶粒を優先的に成長させる第2結晶化工程と を包含する、結晶質半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 620 ,  G02F1/1368

Fターム (76件)：

2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB24 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE05 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ11 ,  5F152AA03 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE25 ,  5F152FF07 ,  5F152FF28 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG08 ,  5F152FG18 ,  5F152FG21 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03 ,  5F152FH13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-349234   出願人：富士通株式会社
• 半導体デバイスのレーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-309826   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社