半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349234
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151904
出願日： 2001年11月14日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置に関し、ほぼ〈100〉方位に揃ったら結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、より高移動度で且つ特性の均一な半導体デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性基板1上に形成された少なくともSiを主成分とする非単結晶半導体薄膜3にエネルギービーム4を照射して表面に対する結晶方位がほぼ〈100〉方位である多結晶半導体薄膜5を形成したのち、多結晶半導体薄膜5に連続発振のレーザビーム6を照射することによって結晶方位がほぼ〈100〉方位でより大粒径の結晶化半導体薄膜7を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された少なくともSiを主成分とする非単結晶半導体薄膜にエネルギービームを照射して表面に対する結晶方位がほぼ〈100〉方位である多結晶半導体薄膜を形成する工程、前記多結晶半導体薄膜に連続発振のレーザビームを照射して結晶方位がほぼ〈100〉方位でより大粒径の結晶化半導体薄膜を得る工程を備えたことを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 618 Z

Fターム (42件)：

5F052AA02 , 5F052AA24 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB09 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL21 , 5F110NN02 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP36 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-091280 出願人：三洋電機株式会社
半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-064036 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-104117

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