特許
J-GLOBAL ID：200903060904438659
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343512
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321385
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 良好な発振しきい値電流及びスロープ効率の特性を有する半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】 n型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、活性層5上に形成されたp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成された所定幅のストライプ状欠除部を有しp型クラッド層7より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなバンドギャップを有する光閉じ込め層10と、を備え、この光閉じ込め層10の不純物濃度が5×1017cm-3以下である。
請求項（抜粋）：
第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された前記第1導電型とは逆導電型となる第2導電型のクラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成された所定幅のストライプ状欠除部を有し前記第2導電型のクラッド層より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなエネルギーのバンドギャップを有する第1導電型の光閉じ込め層と、を備え、前記光閉じ込め層の不純物濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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