特許

J-GLOBAL ID：200903060924121139

半導体デバイスの製造方法

発明者： ロバート ビーチ
出願人/特許権者： インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-208677
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270847
出願日： 2008年08月13日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】III族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、2つのIII族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。2つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を提供するステップと、 前記基板上に、二次元電子ガスを含むIII族窒化物ヘテロ接合を形成するステップであって、前記III族窒化物ヘテロ接合が、第1のIII族窒化物と、該第1のIII族窒化物上に形成された第2のIII族窒化物を含み、前記第1のIII族窒化物と前記第2のIII族窒化物が異なる禁止帯を有し、 変更領域を有する二次元電子ガスを得るために、該二次元電子ガスの密度を変更するステップと、 前記二次元電子ガスの前記変更領域上にゲートを形成するステップと、 前記ゲートの一方の側に対向して形成された前記III族窒化物ヘテロ接合上に一方のオーミックコンタクトを形成するステップと、 前記ゲートの他方の側に対向して形成された前記III族窒化物ヘテロ接合上に他方のオーミックコンタクトを形成するステップと を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 C

Fターム (17件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR11 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084933   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-058021   出願人：三菱電機株式会社