高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266869
公開番号（公開出願番号）：特開2002-155118
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、各単位中のR<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は互いに同一でも異なっていてもよい。R<SP>4</SP>は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含む、炭素数1〜20のフッ素化された1価炭化水素基である。R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ酸不安定基、密着性基であり、0<k+m+n≦1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れているうえに、エステル側鎖へのフッ素の導入により透明性が著しく向上し、それと同時に優れた解像性を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、各単位中のR<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は互いに同一でも異なっていてもよい。R<SP>4</SP>は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含む、炭素数1〜20のフッ素化された1価炭化水素基である。R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ酸不安定基、密着性基であり、0<k+m+n≦1である。)

IPC (5件)：

C08F220/22 , C08F220/16 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

C08F220/22 , C08F220/16 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (38件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025EA10 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03R , 4J100BA11R , 4J100BA20R , 4J100BA31R , 4J100BA40R , 4J100BB17P , 4J100BC02Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC22Q , 4J100BC23Q , 4J100BC26R , 4J100BC52R , 4J100BC60R , 4J100BC65R , 4J100BC79R , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-338701 出願人：セントラル硝子株式会社
ポジ型感放射線性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-106856 出願人：東レ株式会社

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