特許
J-GLOBAL ID：200903061001462908

ナノギャップ電極の製造方法

発明者：
永瀬 隆

永瀬 隆 について

, 
蒲生 健次

蒲生 健次 について

, 
久保田 徹

久保田 徹 について

, 
益子 信郎

益子 信郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (4件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054191
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245023
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 本発明は,10nm未満のギャップ幅を有するギャップ電極を容易に再現性良く製造するギャップ電極の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は,基本的には,集束イオンビームを用いたスパッタエッチングによりギャップ電極を製造する際に,予め作製した線電極部(20)に流れる電流を測定しつつ電極のエッチング過程をその場観察することで,さらに幅の狭い細線電極部(30)を形成し,その細線電極部を切断してギャップ(40)を製造する際に,ビームブランキング回路により自動的にエッチングを停止させることで,微小なギャップ幅を有するギャップ電極を容易に再現性良く製造できるという知見に基づくものである。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に電極を形成する工程と, 前記電極に電圧を印加し,前記電極を流れる電流を測定しつつ,集束イオンビームを用いて電極をスパッタエッチングすることにより,細線電極部を形成する工程と, 前記細線電極部を切断する工程と を含む, ギャップ電極の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/302
FI (1件)：
H01L21/302 201B
Fターム (7件)：
5C034DD04 ,  5C034DD06 ,  5F004BA17 ,  5F004CA03 ,  5F004DB08 ,  5F004EA39 ,  5F004EB02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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