特許
J-GLOBAL ID：200903061010292829

電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者：
野田 真

野田 真 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-128861
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335688
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】キャリア移動度を高めることを可能とする電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、(A)半導体層17に形成されたチャネル形成領域18、並びに、(B)ゲート絶縁層13を介して、チャネル形成領域18に対向して設けられたゲート電極12を少なくとも有し、半導体層17は半導体材料層15と導電性粒子16とが混在して成る。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
(A)半導体層に形成されたチャネル形成領域、並びに、 (B)ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、 を少なくとも有する電界効果型トランジスタであって、 半導体層は、半導体材料層と導電性粒子とが混在して成ることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (50件)：
5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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