特許
J-GLOBAL ID：200903061034280104
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349189
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 ウエハプロセスパッケージ技術を用いた半導体装置において外部端子と再配線とを接続する接続孔内における再配線の段差被覆性を向上させる。【解決手段】 半導体ウエハの状態のまま複数の半導体チップに対して一括してパッケージ・プロセスを施すウエハプロセスパッケージ技術を用いた半導体装置において、外部端子2を覆う無機絶縁膜6に外部端子2が露出される接続孔7aを形成し、無機絶縁膜6上の有機絶縁膜8に、外部端子2が露出される接続孔7bを、接続孔7aに平面的に内包されるように形成した。そして、有機絶縁膜8上の再配線3をその接続孔7bを通じて外部端子2と電気的に接続した。
請求項（抜粋）：
(a)半導体ウエハの半導体チップに所定の素子を形成する工程と、(b)前記半導体ウエハの主面上に第1の配線を形成する工程と、(c)前記半導体ウエハの主面上に前記第1の配線を通じて前記所定の素子と電気的に接続される第1の電極を形成する工程と、(d)前記半導体ウエハの主面上に第1の電極を覆う無機絶縁膜を形成する工程と、(e)前記無機絶縁膜において前記第1の電極に平面的に重なる位置に第1の接続孔を形成する工程と、(f)前記無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形成する工程と、(g)前記有機絶縁膜において前記第1の電極に平面的に重なる位置に第2の接続孔を形成する工程と、(h)前記有機絶縁膜上に、前記第2の接続孔を通じて第1の電極と電気的に接続される第2の配線を形成する工程と、(i)前記第2の配線を覆う絶縁膜を形成した後、その絶縁膜に第2の配線の一部が露出する第3の接続孔を形成する工程と、(j)前記第3の接続孔を通じて前記第2の配線と電気的に接続され、かつ、前記半導体チップを所定の配線基板に実装する際にその配線基板の配線が接続される第2の電極を形成する工程と、(k)前記(j)工程後、前記半導体ウエハから半導体チップを切り出す工程とを有し、前記第2の接続孔を、前記第1の接続孔に平面的に内包されるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 604 M
