特許

J-GLOBAL ID：200903061049493635

欠陥検出方法及びその装置

発明者： 田中 利彦
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069120
公開番号（公開出願番号）：特開2002-267615
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月18日
要約：

【要約】【課題】複数の良品の半導体ウエハを必要とせず、かつ半導体ウエハ全体の膜むらの影響を受けずに欠陥抽出を行なう。【解決手段】先ずは、画像取込部3により取得された画像データ上における半導体ウエハ上で隣接する2つの半導体チップA、B(Die AとDie B)の各画像データS1、S2間を比較し、その差画像データS3から欠陥Gの抽出を行なうDie to Die方式を行ない、安定状態になってしきい値の標準偏差δがある一定レベルに安定すると、良品の半導体ウエハ7の画像データS4と被検査体となる半導体ウエハ7の画像データS5とからこれら半導体ウエハ7の全体同士を比較し、その差画像データS6から欠陥Gを抽出するWafer to Wafer方式に切り替える。

請求項（抜粋）：

複数の被検査体を順次撮像して取得される複数の画像データをそれぞれ画像処理して複数の前記被検査体の欠陥検査を行なう欠陥検出方法において、先ずは、2つの前記被検査体の前記各画像データにおける前記被検査体の所定領域間を比較して前記欠陥を抽出する第1の方式を行ない、次に、運用上の或る時点から前記各画像データにおける前記各被検査体の全体を比較して前記欠陥の抽出を行なう第2の方式に切り替える、ことを特徴とする欠陥検出方法。

IPC (5件)：

G01N 21/956 ,  G01B 11/30 ,  G06T 1/00 305 ,  H01L 21/66 ,  H05K 3/00

FI (6件)：

G01N 21/956 A ,  G01N 21/956 B ,  G01B 11/30 A ,  G06T 1/00 305 A ,  H01L 21/66 J ,  H05K 3/00 Q

Fターム (63件)：

2F065AA49 ,  2F065BB02 ,  2F065CC01 ,  2F065CC19 ,  2F065CC25 ,  2F065FF42 ,  2F065FF48 ,  2F065FF51 ,  2F065HH05 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ25 ,  2F065JJ26 ,  2F065PP11 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ00 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ08 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ27 ,  2F065QQ41 ,  2F065RR02 ,  2F065RR06 ,  2F065RR07 ,  2F065SS04 ,  2F065SS06 ,  2F065SS09 ,  2F065SS11 ,  2F065TT02 ,  2F065TT03 ,  2G051AA51 ,  2G051AA65 ,  2G051AB02 ,  2G051AC02 ,  2G051AC21 ,  2G051CA04 ,  2G051EA08 ,  2G051EA12 ,  2G051EA14 ,  2G051EA21 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA10 ,  4M106CA38 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB18 ,  4M106DB19 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ40 ,  5B057AA03 ,  5B057CC01 ,  5B057CC03 ,  5B057CE08 ,  5B057CH18 ,  5B057DA03 ,  5B057DC32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 外観検査方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327531   出願人：株式会社日立製作所
• 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215380   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社