外観検査方法およびその装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327531
公開番号（公開出願番号）：特開平11-160247
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】従来の検出パターン比較による外観検査方法において,比較により検出した欠陥が実際に存在するチップを特定するのに,3つのチップからなる2組の比較結果に対して,共通して不一致としてとらえられたものが共通して比較に用いたチップに存在するという考え方を用いているが,この考え方を直接検査に適用すると検査の開始領域及び最終領域に対する比較対照を必要とするため被検査領域以上の画像の検出が必要になるか,開始領域及び最終領域にて正しく欠陥の位置判定を行えなくなり問題であった。【解決手段】これを改善するために検査の開始領域及び最終領域では不一致だけでなく一致の情報も用いることで欠陥位置を特定し,上記の問題を解決するものである。

請求項（抜粋）：

基板上に整列して形成された同一形状の複数のパターンを検査する方法であって、隣接する同一形状のパターン同士を順次比較するとともに、前記整列して形成された同一形状の複数のパターンのうちの先頭と末尾のパターンについては隣接するパターンと該隣接するパターンの更に隣のパターンとを比較した情報も用いて検査することにより、前記整列して形成された同一形状の複数パターンの列の先頭から末尾のパターンに対して検査することを特徴とする外観検査方法。

IPC (2件)：

G01N 21/88 , G06T 7/00

FI (2件)：

G01N 21/88 E , G06F 15/62 405 A

引用特許：

出願人引用 (7件)

欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-174121 出願人：セイコーエプソン株式会社
ウエハの欠陥検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-194007 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-253448

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審査官引用 (9件)

欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-174121 出願人：セイコーエプソン株式会社
ウエハの欠陥検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-194007 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-253448

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