特許
J-GLOBAL ID：200903061054699586
液晶表示装置およびその製造方法、並びに、半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327707
公開番号（公開出願番号）：特開平7-239482
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 安価であってしかも精細な画像を表示する。【構成】 ガラス基板111の上にMOS型のTFT54と画素電極112とが形成されている。ガラス基板111には耐用温度が600 ゚C以下の安価なガラスが用いられる。TFT54を構成する能動層131およびゲート電極133、134は、多結晶または単結晶のSi薄膜で構成される。これらの、多結晶または単結晶のSi薄膜は、アモルファスSi薄膜に気体ビームの照射を行うことによって形成される。この工程における処理温度は、600 ゚Cよりも低く、ガラス基板111の耐用温度を超えない。【効果】 能動層131、ゲート電極133、134が結晶質であるために精細な画像を表示し得る。しかも、耐用温度の低いガラス基板111を使用できるので、装置が安価である。
請求項（抜粋）：
光透過性の基板の上に液晶素子と当該液晶素子を駆動する薄膜トランジスタとが形成された液晶表示装置であって、前記基板が、耐用温度が600 ゚C以下の材料から実質的に成り、前記薄膜トランジスタの能動層が、結晶質であってしかもキャリア移動度が10cm2 /(V・sec)を超える半導体薄膜から実質的に成ることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
