特許

J-GLOBAL ID：200903061073266437

トランジスタの浅いトレンチ分離体を化学的機械的研磨を用いないで作成する方法

発明者： ショウン ティ.ウォルシュ ,  ジョン イー.キャンベル ,  ジェームズ ビー.フリードマン ,  トマス エム.パーリル ,  デル イー.ジャン ,  ジョシュア ジェイ.ロビンス ,  バイロン ティ.アールバーン ,  スー エレン クランク
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006782
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284064
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 化学的機械的研磨を用いないでトランジスタの浅いトレンチ分離体を作成する方法を提供する。【解決手段】 分離トレンチのエッチングの期間中、窒化物のマスクが活性領域を保護する。高密度プラズマ沈着を用いて、これらのトレンチが酸化物で充填される。この充填の際にエッチングが同時に行われ、それにより分離トレンチの近傍に傾斜した端部が得られる。また別の窒化物層を用いてトレンチの上にキャップ層が作成され、それにより下にある窒化物層が密封される。窒化物のキャップ層に対してエッチングが行われてパターン作成が行われ、それにより活性領域の上のキャップ層だけが除去される。このような選択的エッチングにより、過剰な酸化物を除去することが可能である。この後、窒化物層を除去する選択的エッチングが行われる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体材料と前記半導体材料の中のトレンチとの上に配置された第1誘電体材料の第1層を、前記第1層と前記トレンチとが整合して配置されるように作成する段階と、(b)前記トレンチの端部の近傍の前記第1層の一部分が露出されるような方式で、前記トレンチを第2誘電体材料で充填する段階と、(c)前記第2誘電体材料層の上に前記第1誘電体の第2層を、前記第1誘電体の前記第1層の前記露出した部分と接触するように沈着する段階と、(d)前記トレンチの上に配置されていない前記第1誘電体の前記第2層の部分を除去する段階、および前記トレンチが存在しない領域の上に配置された前記第2誘電体の部分を選択的に除去する段階と、(e)それにより前記トレンチが前記第2誘電体で実質的に充填したままであるように、前記第2誘電体に対して選択的なエッチングを用いて前記第1誘電体を除去する段階と、を有するトレンチ分離体を作成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 研磨を併用したエッチング方法及びトレンチ素子分離構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-230629   出願人：ソニー株式会社
• トレンチの埋め込み平坦化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-089575   出願人：ソニー株式会社