特許
J-GLOBAL ID：200903061090210178
半導体素子のパターン露光方法および露光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045820
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246147
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】光投影露光装置を用いて複数チップを組み合わせて1回の露光で転写されたパターンに対して電子ビーム露光で合わせ露光をする際に、下地の歪に合わせた露光を行なうことが不可能であった。【解決手段】光露光時のパターン内のチップの配列情報を格納し、これらの情報をもとに下地パターンの各チップにおける光投影露光装置の歪を補正して電子ビーム露光する。【効果】本発明によれば、光投影露光装置を用いて複数チップを組み合わせて1回の露光で転写されたパターンに対して電子ビーム露光で合わせ露光をする際に高精度な合わせ露光が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体素子のパターン露光において少なくとも光投影露光法を含んだ複数の異なる露光法を用い、かつ該光投影露光法に用いる投影マスク内のパターン位置情報および露光試料上の該光投影露光法による露光パターン位置情報を用いて異なる露光法での露光パターン位置の補正を行うことを特徴とする半導体素子のパターン露光方法。
FI (3件)：
H01L 21/30 541 D
, H01L 21/30 525
, H01L 21/30 541 E
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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