特許
J-GLOBAL ID：200903017686118466
高輝度単一モードVCSEL
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162195
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056233
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】VCSELは、レーザ電流が発光領域における断面積の大きい半導体材料に流れることによって光を発生する。レーザ電流を増大すると、レーザは基本の最低次モードからより高次の強度分布が付加される多モード動作に移行する。従って垂直共振型面発光レーザ(VCSEL)は、単モードでの高出力が困難である。【解決手段】本発明のVCSELには、光学損失を生じる光学空洞及び光学空洞に結合された損失決定素子(loss-determining element)が含まれている。損失決定素子は光学軸からの側方距離が増すのに応じて、光学空洞の光学損失を漸進的に増大させる。それによってレーザ電流を増大しても多モード動作への移行を押さえることができ、単モードでの高出力が可能となる。
請求項（抜粋）：
光学軸に沿って高輝度単モード光ビームを放射するためのVCSEL(垂直共振型面発光レーザ)であって、該VCSELは以下(a)及び(b)を含むことを特徴とする、(a)光学損失を有する光学空洞であって、該光学空洞は以下(a-1)ないし(a-3)を含む、(a-1)第1のミラー領域及び第2のミラー領域であって、該第1のミラー領域及び該第2のミラー領域は伝導性であり逆の伝導モードを有し、(a-2)前記第1のミラー領域と前記第2のミラー領域の間に挟まれた面発光領域であって、該面発光領域は光学軸に対して垂直であり、(a-3)前記発光領域の平面における前記光学空洞の側方限界を形成するための手段、(b)損失決定手段であって、該損失決定手段は前記光学空洞に結合され、前記光学軸からの側方距離が増すのに応じて前記光学空洞の光学損失を漸進的に増大させる。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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共振器型半導体光装置及びその製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-263023
出願人：日本電信電話株式会社
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特開平2-213186
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特開平2-110988
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審査官引用 (11件)
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