特許
J-GLOBAL ID：200903061112340720
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310902
公開番号（公開出願番号）：特開平7-159973
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】リソグラフィー技術に使用されるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に関し、パターン形状の制御性を向上し、かつ、検査を円滑に行うこと。【構成】透明基板11上の光減衰膜12をパターニングして透光パターン15を形成した後に、その光減衰膜12の上にネガ型のレジスト17を塗布し、ついで、基板側から光を照射して光減衰膜12をマスクにしてそのレジスト17を露光するとともに、デバイス形成領域14の周辺にも選択的に光を照射し、現像後に透光パターン15とデバイス形成領域の周辺をネガ型レジスト17で覆い、続いて、ネガ型レジスト17をマスクにして光減衰膜12をハーフトーン膜19となる厚さまでエッチングすることを含む。
請求項（抜粋）：
透明基板(11,21)の上に光を遮光する厚さに光減衰膜(12)を形成する工程と、前記光減衰膜(12)の上に第一のレジスト(13)を塗布する工程と、デバイスパターン形成領域(14)にある前記第一のレジスト(13)にパターン(13a)を形成する工程と、前記第一のレジスト(13)をマスクに使用して前記光減衰膜(12)をパターニングし、前記デバイスパターン形成領域(14)の前記光減衰膜(12)に透光パターン(15)を形成する工程と、前記第一のレジスト(13)を除去した後に、前記光減衰膜(12)及び前記透光パターン(15)の上にネガ型の第二のレジスト(17,27)を塗布する工程と、前記透明基板(11,21)のうちの前記光減衰膜(12)を有しない側の面から光を照射し、前記光減衰膜(12)をマスクにして第二のレジスト(17,27)を露光する工程と、前記第二のレジスト(17,27)のうち前記デバイスパターン形成領域(14)の周囲に光を選択的に照射する工程と、現像により、前記デバイスパターン形成領域(14)の周囲と透光パターン(15)の上に前記第二のレジスト(17,27)を残存させる工程と、前記第二のレジスト(17,27)をマスクにして、前記デバイスパターン形成領域(14)にある前記光減衰膜(12)をハーフトーン膜(19,22)となる厚さまでエッチングする工程と、前記第二のレジスト(17,27)を除去する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
