特許

J-GLOBAL ID：200903061159260016

2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス

発明者： 菅 洋志 ,  内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  清水 哲夫
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-207397
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043942
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】本発明の課題は、多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバー自体の直径の小ささを利用し、素子全体として20nm×20nm程度の極めて小さな抵抗スイッチ素子を、分子内包工程を必要としないより簡単な手法で、より優れた電気伝導率で提供することである。【課題を解決するための手段】多層カーボンナノファイバーあるいは多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする2端子抵抗スイッチ素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多層カーボンナノファイバーをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする2端子抵抗スイッチ素子。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00

FI (2件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-189380   出願人：株式会社船井電機新応用技術研究所

審査官引用 (2件)

• スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-234515   出願人：株式会社東芝
• カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276426   出願人：キヤノン株式会社