特許
J-GLOBAL ID：200903061172821795

チップ型抵抗器の構造及びその製造方法

発明者：
土井 眞人

土井 眞人 について

, 
蒲原 滋

蒲原 滋 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341383
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189302
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 チップ型抵抗器において、抵抗膜12の両端に対する端子電極13の表面と、前記抵抗膜12に対するカバーコート14の表面との間の段差を小さくするか、段差を無くすることを、低コストで達成する。【手段】 前記カバーコート14のうちミドルコート14bの延長部14b′又は飛び地部14b′′を、前記端子電極13における主上面電極13aの表面の一部に形成する一方、前記端子電極13における補助上面電極13bを、前記ミドルコート14bの延長部14b′又は飛び地部14b′′の表面と主上面電極13aの表面との両方に跨がって形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の左右両端部に、抵抗膜の両端に対する端子電極を備え、前記両端子電極を、少なくとも、絶縁基板の表面に抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と、前記絶縁基板の端面に形成した側面電極とで構成する一方、前記抵抗膜を覆うカバーコートを、少なくとも、ミドルコートとオーバーコートとで構成して成る抵抗器において、前記両端子電極における主上面電極の表面に、前記カバーコートのうちミドルコートの延長部又は飛び地部を形成して、このミドルコートの延長部又は飛び地部の表面に前記補助上面電極を形成することを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
IPC (2件)：
H01C 7/00 ,  H01C 17/06
FI (2件)：
H01C 7/00 B ,  H01C 17/06 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
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