特許
J-GLOBAL ID：200903061183044782

光電変換素子および光電変換素子用の対極の製造方法

発明者：
松井 浩志

松井 浩志 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-343022
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153180
出願日： 2006年12月20日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】対極において耐食性と導電性とを両立させ、内部抵抗を低減して光電変換特性に優れた光電変換素子を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換素子は、増感色素を担持させた多孔質酸化物半導体層13を有し、窓極として機能する作用極14と、少なくとも一部に電解質層15を介して該作用極と対向して配される対極20とを備えてなる光電変換素子1であって、前記対極は、前記電解質に対して不活性な金属板21と、金属層22とを重ねて構成され、該金属板は、その一面が前記電解質層の方向を向いて配されるとともに、その他面が粗面化され、前記金属層と接していることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
増感色素を担持させた多孔質酸化物半導体層を有し、窓極として機能する作用極と、少なくとも一部に電解質層を介して該作用極と対向して配される対極とを備えてなる光電変換素子であって、 前記対極は、前記電解質に対して不活性な金属板と、金属層とを重ねて構成され、該金属板は、その一面が前記電解質層の方向を向いて配されるとともに、その他面が粗面化され、前記金属層と接していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (11件)：
5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB10 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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