特許
J-GLOBAL ID：200903061684402778

光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法

発明者：
諸岡 正浩

諸岡 正浩 について

, 
鈴木 祐輔

鈴木 祐輔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-393433
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158379
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 高い短絡電流密度および光電変換効率を得ることができる太陽電池等の光電変換素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 色素増感半導体電極2と対極3との間に電解質層5を有する光電変換素子、例えば色素増感湿式太陽電池において、対極3の電解質層5に面する側に、表面粗さRa が30nm〜10μmの光散乱反射層4を形成する。光散乱反射層4としては、例えば、すりガラス基板上にPtをスパッタしたものを用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
色素増感半導体電極と対極との間に電解質層を有する光電変換素子において、 上記対極の上記電解質層に面する側に光散乱反射層を有する ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (26件)：
5F051AA14 ,  5F051FA01 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F051GA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC09 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032HH00 ,  5H032HH04 ,  5H032HH07 ,  5H032HH08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM