特許
J-GLOBAL ID：200903061194159239

プラズマ処理方法

発明者：
末正 智希

末正 智希 について

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バイディア エヌ ビー

バイディア エヌ ビー について

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稲沢 剛一郎

稲沢 剛一郎 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296693
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118830
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 有機ポリシロキサン膜の低誘電率特性を損なわずに該膜上のフォトレジスト膜を除去可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100の処理室102内に配された下部電極106上にウェハWを載置する。ウェハWには,Low-K材料の有機ポリシロキサン膜が形成されている。処理室102内にプラズマを生成し,有機ポリシロキサン膜上のフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行い,有機ポリシロキサン膜に一部が露出する開口パターンを形成する。エッチング処理後,ウェハWは,そのまま処理室102内に配置される。処理室102内の圧力は,処理室102内への処理ガスの導入,および処理室102内のガスの排気により,30mTorr(4.00Pa)〜150mTorr(20.0Pa)に設定する。該圧力下で処理室102内のガスをプラズマ化し,フォトレジスト膜をアッシング処理する。
請求項（抜粋）：
処理室内に配置された被処理体に対し,前記被処理体に形成された有機ポリシロキサン膜上のフォトレジスト膜をマスクとしてプラズマエッチング処理を施し,前記有機ポリシロキサン膜の一部が露出するパターンを形成した後に,前記フォトレジスト膜を除去するプラズマ処理方法であって:前記処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内の圧力を30mTorr(4.00Pa)〜150mTorr(20.0Pa)に設定する工程と;前記圧力下で前記処理ガスをプラズマ化し,前記パターンが形成された前記被処理体の前記フォトレジスト膜を除去する工程と;を含むことを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (16件)：
5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EB03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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