特許
J-GLOBAL ID：200903061276538998
半導体基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288262
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】ロードロック室3を有する半導体基板処理装置において、ロードロック室3のウェハ12にごみなどの物質を付着させることなく処理室4にウェハ12を搬入することのできるように図る【構成】ウェハ12がロードロック室に搬送された後、排気口8より真空排気される時に赤外線ランプ1から赤外線を放射する。これにより、真空排気時の断熱膨張の温度低下により発生する結露を防止し、結露によりウェハ12に付着するごみを低減する。
請求項（抜粋）：
半導体基板であるウェハを処理する処理室に隣接して仕切弁を介して設けられるとともに未処理あるいは処理済みの前記ウェハを収納するロードロック室を有する半導体基盤処理装置において、前記ロードロック室内に配設され熱エネルギー放出手段を備えることを特徴とする半導体基板処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/02
, C23C 16/54
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 21/302 B
, C23C 16/02
, C23C 16/54
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
