不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222288
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057488
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】フラッシュEEPROMのディスターブ耐性を向上させる。【構成】ディスターブベリファイモードにおいて、複数のメモリセルからなるブロックが書き込み時或いは消去時に選択された回数を計数する列デコーダRDEC内にあるカウンタからの出力CTをライト状態制御回路WCNTに入力する。選択された回数が所定回数以上であれば、ブロック毎にディスターブアドレスのベリファイを行う。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、行列状に配置された複数の電気的書き込みが可能な不揮発性半導体メモリセルと、前記メモリセルの内少なくとも1つを選択状態にし、他のメモリセルを非選択状態とするデコーダ回路と、前記デコーダ回路を介し前記選択状態のメモリセルに書き込みを行う書き込み手段と、前記デコーダ回路を介し前記選択状態のメモリセルから読み出しを行う読み出し手段と、前記選択状態のメモリセルへの書き込み時に、前記非選択状態のメモリセルに印加される電圧により発生する前記非選択状態のメモリセルのしきい値電圧の変化を検出する検出手段と、前記非選択状態のメモリセルのしきい値電圧の変化を検出した結果により、前記非選択状態のメモリセルのしきい値電圧を変化前の値または近傍値に復元する復元手段と、1個あるいは複数個の前記メモリセルからなるブロックが書き込み時に選択された回数を計数する各ブロック毎に備えられた計数手段とを有し、前記選択された回数が所定の回数以上となった場合のみ前記ブロック内のメモリセルのしきい値電圧の変化の検出及びしきい値電圧の復元を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 309 F , G11C 17/00 510 Z

引用特許：

出願人引用 (10件)

電気的消去及び書込み可能ROM
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-288826 出願人：富士通株式会社
特開昭60-074578
不揮発性半導体記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-297907 出願人：ローム株式会社

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