特許
J-GLOBAL ID：200903061322488178
面型光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077895
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283051
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 発光効率が高く、基板が反ることがなく、信頼性の向上した面型光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 GaAs基板1と、GaAs基板1上に形成され、電流注入によって発光するAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>In<SB>y</SB>As<SB>1-z</SB>P<SB>z</SB>(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1、0≦z≦1)からなる第1の発光層4と、第1の発光層4で発光した光を第1の発光層4に帰還吸収させ第1のレーザ発振を起こすための第1の共振器2及び3と、第1のレーザ発振によって発振された第1のレーザ光を吸収し発光するGa<SB>1-p</SB>In<SB>p</SB>As<SB>1-q</SB>N<SB>q</SB>(0≦p≦1、0<q<1)からなる第2の発光層6とを具備する面型光半導体装置。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成され、電流注入によって発光するAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>In<SB></SB><SB>y</SB>As<SB>1-z</SB>P<SB>z</SB>(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1、0≦z≦1)層を有する第1の発光層と、前記第1の発光層で発光した光を前記第1の発光層に吸収させ第1のレーザ発振を起こす第1の共振器と、前記第1のレーザ発振によって発振された第1のレーザ光を吸収し発光するGa<SB>1-p</SB>In<SB>p</SB>As<SB>1-q</SB>N<SB>q</SB>(0≦p≦1、0<q<1)層を有する第2の発光層とを具備することを特徴とする面型光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/183
, H01S 5/04
, H01S 5/40
H01S 5/183
, H01S 5/04
, H01S 5/40
5F073AA51
, 5F073AA52
, 5F073AA74
, 5F073AB02
, 5F073AB17
, 5F073CA04
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA27
