特許

J-GLOBAL ID：200903061324824710

n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法

発明者： 松本 和彦 ,  小島 厚彦 ,  長尾 哲
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-034476
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222279
出願日： 2005年02月10日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】 ナノチューブ状構造体をチャネルに用いたトランジスタにおいて従来とは異なる新たなn型トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース電極2とドレイン電極3とゲート電極4とソース電極2及びドレイン電極3の間に設けられたナノチューブ状構造体で形成されたn型のチャネル5とを備えたトランジスタ1のチャネル5上に窒素化合物の膜6を直接形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース電極と、 ドレイン電極と、 ゲート電極と、 該ソース電極及び該ドレイン電極の間に設けられたナノチューブ状構造体で形成されたn型のチャネルと、 該チャネル上に直接形成された窒素化合物の膜とを備える ことを特徴とする、n型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 625 ,  H01L29/28

Fターム (42件)：

5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204182   出願人：日本電気株式会社
• 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160610   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社