絶縁ゲート型半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245860
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124468
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】ターンオン特性を損なわずに、素子のターンオフ特性を改善できる絶縁ゲート型半導体素子を提供すること。【解決手段】p型エミッタ層1と、このp型エミッタ層1上に形成されたN- 型高抵抗ベース層3と、このN- 型高抵抗ベース層3に接して形成されたP型ベース層4と、このP型ベース層4内にN- 型高抵抗ベース層3に接する深さに形成されたトレンチ溝にゲート絶縁膜6を介して埋込み形成されたゲート電極7と、トレンチ溝の側面に接してP型ベース層4の表面に形成されたN型ソース層5と、このN型ソース層5、P型ベース層4、N- 型高抵抗ベース層3、ゲート絶縁膜6およびゲート電極7とで構成された第1のMOSトランジスタにより誘起されるチャネルを介さずに、正孔を素子外に排出するための第2のMOSトランジスタ10とを備えている。

請求項（抜粋）：

第2導電型ベース層に接して形成された第1導電型ベース層と、この第1導電型ベース層内に前記第2導電型ベース層に達する深さに形成された複数の溝のそれぞれにゲート絶縁膜を介して埋め込み形成された複数のゲート電極と、前記複数の溝中の隣接する二つ溝で挟まられた前記第1導電型ベース層の表面に形成された第2導電型ソース層および第1導電型半導体層と、前記第2導電型ソース層および前記第1導電型半導体層にコンタクトする第2の主電極とを具備してなり、前記ゲート絶縁膜は前記ゲート電極上にも形成されており、且つ前記第2導電型ソース層の高さが前記ゲート電極上の前記ゲート絶縁膜のそれよりも高いことを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 656 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 29/78 655 E , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 G , H01L 29/78 656 A , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 617 J

Fターム (17件)：

5F110AA07 , 5F110BB04 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (2件)

絶縁ゲート型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070151 出願人：株式会社東芝
縦型MOSFET装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-192207 出願人：沖電気工業株式会社

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