特許
J-GLOBAL ID：200903061371986841
ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158032
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】高誘電率を有するとともに、銅配線が可能であり、しかもプリント基板等の外部電気回路基板との実装においても長期信頼性に優れたガラスセラミック焼結体とそれを具備する配線基板を提供する。【解決手段】40〜400°Cにおける熱膨張係数が6〜18ppm/°Cのガラス成分20〜60体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上かつ誘電率が10以上の誘電体を含むフィラー成分40〜80体積%とからなる組成物を成形、焼成してなり、40〜400°Cにおける熱膨張係数が8ppm以上、誘電率が8以上のガラスセラミック焼結体であり、絶縁層が多層に積層された絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設されてなる多層配線基板において、絶縁層の少なくとも1層をこのガラスセラミック焼結体によって構成する。
請求項（抜粋）：
40〜400°Cにおける熱膨張係数が6〜18ppm/°Cのガラス成分20〜60体積%と、40〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上かつ誘電率が10以上の誘電体を含むフィラー成分40〜80体積%とからなる組成物を成形、焼成してなり、40〜400°Cにおける熱膨張係数が8ppm以上、誘電率が8以上であることを特徴とするガラスセラミック焼結体。
IPC (5件)：
C03C 10/00
, H01L 23/12
, H01L 23/15
, H05K 1/03 610
, H05K 3/46
C03C 10/00
, H05K 1/03 610 D
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 N
, H01L 23/14 C
