特許
J-GLOBAL ID：200903061381874375

半導体絶縁膜用CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者：
小山 直之

小山 直之 について

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大槻 裕人

大槻 裕人 について

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芳賀 浩二

芳賀 浩二 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347248
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 、層間絶縁膜、BPSG膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜等を平坦化するCMP技術において、酸化珪素膜等の無機絶縁膜の研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供する。【解決手段】 酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性有機化合物及び水を含む半導体絶縁膜用CMP研磨剤であって、水溶性有機化合物が、無機絶縁膜に吸着するものである半導体絶縁膜用CMP研磨剤、及び、この半導体絶縁膜用CMP研磨剤を用いる研磨方法であって、研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、上記の半導体絶縁膜用CMP研磨剤を膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして膜を研磨する基板の研磨方法。
請求項（抜粋）：
酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性有機化合物及び水を含む半導体絶縁膜用CMP研磨剤であって、水溶性有機化合物が、無機絶縁膜に吸着するものであることを特徴とする半導体絶縁膜用CMP研磨剤。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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