CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172822
公開番号（公開出願番号）：特開2001-002415
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、ポリアクリルアミド及びその誘導体から選ばれる添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。本発明のCMP研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに添加剤と水を含む添加液からなり保存安定性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、ポリアクリルアミド及びその誘導体から選ばれる添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。

IPC (5件)：

C01F 17/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/304 622 , C09C 1/68

FI (5件)：

C01F 17/00 A , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , H01L 21/304 622 D , C09C 1/68

Fターム (22件)：

4G076AA02 , 4G076AA24 , 4G076AA26 , 4G076AB09 , 4G076BA22 , 4G076BA39 , 4G076BA46 , 4G076BC08 , 4G076BD01 , 4G076CA05 , 4G076CA15 , 4G076CA26 , 4G076DA30 , 4J037AA08 , 4J037CB16 , 4J037CC16 , 4J037DD24 , 4J037EE08 , 4J037EE28 , 4J037EE43 , 4J037FF18 , 4J037FF23

引用特許：

審査官引用 (6件)

平坦化のための研磨工程およびスラリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-315093 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157385 出願人：株式会社東芝
特開平2-158684

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