電圧吸収端部を有するpn接合を含むSiC半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-510194
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516027
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】半導体素子であって、pn接合を含み、前記pn接合のp導電層とn導電層は共にドープされた炭化珪素層を構成し、前記pn接合の導電層の少なくとも一方の端部で、定められた動作接合部の初期値から前記接合部の最も外側の端部のゼロまたはほぼゼロの全電荷まで、前記接合部の中央部から前記最も外側の端部の半径方向に、全電荷または有効表面電荷密度を段階的にまたは均一に減少させる。

請求項（抜粋）：

pn接合を含み、前記pn接合の第1導電型(n)層と第2導電型(p)層は共に炭化珪素(SiC)のドープされた層で構成し、前記層の少なくとも一方の端部に終端(T)を設ける半導体素子であって、前記終端(T)は前記終端の外側の境界に向かって段階的にまたは連続的に減少する全電荷を持つことを特徴とする、半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/06 , H01L 29/16 , H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 29/06 , H01L 29/16 , H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝
特表平4-502536
特公平7-093312

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