絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277504
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】半導体用途において、熱特性、電気特性、機械特性、耐吸水性に優れ、かつ低誘電率化を可能にする、絶縁膜用樹脂組成物およびそれを用いた絶縁膜を提供する。【解決手段】一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有する、アセチレン基を含有するポリアミド(1)、もしくは一般式(B)で表されるビスアミノフェノール化合物(2)、および、式(C)〜式(F)で表される構造から選ばれる基を有するジカルボン酸誘導体と、ポリアルキレングリコール及びその誘導体とを、モル比がジカルボン酸誘導体/ポリアルキレングリコール及びその誘導体=0.1〜10/1になる割合で反応させて得られた、活性化変成ポリアルキレングリコール(3)を反応させて得られる、絶縁膜用樹脂組成物を用いて絶縁膜を形成させる。【化1】

請求項（抜粋）：

一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有する、アセチレン基を含有するポリアミド(1)、もしくは一般式(B)で表されるビスアミノフェノール化合物(2)、および、式(C)〜式(F)で表される構造から選ばれる基を有するジカルボン酸誘導体と、ポリアルキレングリコール及びその誘導体とを、モル比がジカルボン酸誘導体/ポリアルキレングリコール及びその誘導体=0.1〜10/1になる割合で反応させて得られた、活性化変成ポリアルキレングリコール(3)を、反応させて得られることを特徴とする絶縁膜用材料。【化1】式中、X1およびX2は、式(G)及び式(H)で表される構造から選ばれる基を表し、X1とX2は同じであっても、異なっていてもかまわない。また、Y1は、式(C)〜式(F)で表される構造の中から選ばれる少なくとも1つの基、Y2は、式(J)で表される構造の中から選ばれる基を表す。m及びnは、m>0,n≧0,および1≦m+n≦1000の関係を満たす整数で、繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。【化2】式中、X3は、式(G)及び式(H)で表される構造の中から選ばれる少なくとも1つの基を表す。【化3】【化4】【化5】【化6】【化7】【化8】【化9】式(G)及び式(J)中、Zは、式(I)で表される構造より選ばれる基を表し、R1、R2は、水素またはアルキル残基を表す。式(C)及び式(D)中のRは、水素原子、ナフタレン基、フェニル基、又はアルキル基を表す。【化10】式(C)〜式(J)で表される構造中、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていても良い。

IPC (8件)：

C08G 73/22 , C09D 5/25 , C09D161/06 , C09D171/00 , C09D177/10 , H01B 3/00 , H01B 3/30 , H01L 21/312

FI (10件)：

C08G 73/22 , C09D 5/25 , C09D161/06 , C09D171/00 , C09D177/10 , H01B 3/00 F , H01B 3/30 C , H01B 3/30 H , H01B 3/30 M , H01L 21/312 A

Fターム (101件)：

4J038DA041 , 4J038DF041 , 4J038DH041 , 4J038GA01 , 4J038GA09 , 4J038GA12 , 4J038GA13 , 4J038NA04 , 4J038NA09 , 4J038NA14 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 4J043PA01 , 4J043PA04 , 4J043PA08 , 4J043PA09 , 4J043PA19 , 4J043PC046 , 4J043QB15 , 4J043QB23 , 4J043QB24 , 4J043QB33 , 4J043RA05 , 4J043RA06 , 4J043RA24 , 4J043RA52 , 4J043SA06 , 4J043SA47 , 4J043SA71 , 4J043SA72 , 4J043SB01 , 4J043SB02 , 4J043TA12 , 4J043TA26 , 4J043TA32 , 4J043TB01 , 4J043TB02 , 4J043UA042 , 4J043UA052 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UA142 , 4J043UA151 , 4J043UA152 , 4J043UA161 , 4J043UA162 , 4J043UA232 , 4J043UA241 , 4J043UA261 , 4J043UA262 , 4J043UB012 , 4J043UB021 , 4J043UB022 , 4J043UB061 , 4J043UB062 , 4J043UB102 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB131 , 4J043UB132 , 4J043UB141 , 4J043UB302 , 4J043WA05 , 4J043WA16 , 4J043WA25 , 4J043XA13 , 4J043YA06 , 4J043ZA06 , 4J043ZA12 , 4J043ZA31 , 4J043ZA43 , 4J043ZA46 , 4J043ZB03 , 4J043ZB11 , 4J043ZB47 , 4J043ZB50 , 4J043ZB60 , 5F058AA04 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058AH03 , 5G303AA05 , 5G303AA07 , 5G303AB05 , 5G303BA03 , 5G303CA09 , 5G305AA06 , 5G305AA07 , 5G305AA11 , 5G305AB10 , 5G305BA05 , 5G305CA20 , 5G305CA27 , 5G305CA51 , 5G305CB16

引用特許：

審査官引用 (3件)

絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-082006 出願人：住友ベークライト株式会社
絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス及びこれらを用いた絶縁膜並びに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-377448 出願人：住友ベークライト株式会社
ポリベンゾ・オキサゾール前駆体
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-565782 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

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