特許
J-GLOBAL ID:200903091794533041
絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、絶縁膜、及びこれを用いた半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-082006
公開番号(公開出願番号):特開2003-277499
出願日: 2002年03月22日
公開日(公表日): 2003年10月02日
要約:
【要約】【課題】 半導体用途において、熱特性、電気特性、機械特性、吸水性に優れ、かつ低誘電率化を可能にする、絶縁膜用樹脂組成物およびそれを用いた絶縁膜を提供する。【解決手段】 一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有するアセチレン基を含有するポリアミド(1)と、一般式(B)、(C)、(D)、(E)のジカルボン酸誘導体とポリアルキレングリコール及びその誘導体をモル比が一般式(B)、(C)、(D)、(E)のジカルボン酸誘導体/ポリアルキレングリコール及びその誘導体=1〜2/1で反応させた変成ポリアルキレングリコール(2)を有する化合物を必須成分とする。【化1】
請求項(抜粋):
一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有するポリアミド(1)と、一般式(B)、(C)、(D)、及び(E)で表される基の中から選ばれる2価の基を有するジカルボン酸化合物(a)と、ポリアルキレングリコール及び/又はそれより誘導されるアミノ化物(b)とを反応モル比(a/b)が1〜2/1で反応させて合成された変成ポリアルキレングリコール(2)とを必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用材料。【化1】式中、m及びnは、m>0,n≧0,2≦m+n≦1000,及び0.05≦m/(m+n)≦1の関係を満たす整数であり、X1及びX2は、式(F)及び式(G)で表される2価の基の中から選ばれ、Y1は、式(B),式(C),式(D),及び式(E)で表される基の中から選ばれる少なくとも1つの2価の基を示し、Y2は、式(I)で表される基の中から選ばれる2価の基を示し、一般式(A)中のX1、X2は同じであっても、異なっていてもかまわない。又、一般式(A)において繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。【化2】【化3】【化4】【化5】【化6】【化7】【化8】式(F)及び式(I)中、Zは、式(H)で表される基の中から選ばれる2価の基を示し、式(F)、式(G)中のR1、R2は、水素またはアルキル残基を示す。式(B),式(C)中のRは、水素原子、ナフタレン基、フェニル基、又はアルキル基を示す。また、式(B)〜式(I)で表される基において、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていても良い。【化9】
IPC (11件):
C08G 69/44
, C08G 73/22
, C08L 67/02
, C08L 77/06
, C08L 77/10
, C09D 5/25
, C09D171/00
, C09D177/10
, H01B 3/00
, H01B 3/30
, H01L 21/312
FI (12件):
C08G 69/44
, C08G 73/22
, C08L 67/02
, C08L 77/06
, C08L 77/10
, C09D 5/25
, C09D171/00
, C09D177/10
, H01B 3/00 F
, H01B 3/30 G
, H01B 3/30 M
, H01L 21/312 A
Fターム (137件):
4J001DA04
, 4J001DB04
, 4J001DB05
, 4J001DC01
, 4J001DC05
, 4J001DC08
, 4J001DC13
, 4J001DC14
, 4J001DC15
, 4J001DD02
, 4J001DD03
, 4J001DD06
, 4J001EB14
, 4J001EB33
, 4J001EB34
, 4J001EB44
, 4J001EB45
, 4J001EB46
, 4J001EB56
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, 4J001EC44
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, 4J001EC74
, 4J001ED63
, 4J001FA01
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, 5G305AB10
, 5G305BA18
, 5G305CA25
, 5G305CA51
, 5G305CB16
引用特許: